Author: hajun444

韓国メディアは2022年7月5日（現地時間）、韓国バッテリー最大手のLG Energy Solution（LGエナジーソリューション）がいすゞ自動車の小型トラックに対し、4年間で1兆ウォン（約1046億円）を超える規模のバッテリー供給契約を結んだと一斉に報じた。韓国では、LGエナジーソリューションがパナソニックのお膝元の日本で受注したとして沸いている。LGエナジーソリューションは生産設備を積極的に拡大するものの、桁違いの投資を続ける中国勢の背中は遠い。中国勢とのシェアの差は、逆に広がりつつある。

テスラに集中するパナソニックを横目に日本市場攻略

　いすゞ自動車の小型トラック「エルフ」は、同社小型トラックの旗艦だ。現在、同社は電気自動車（EV）の実証実験を進めており、2022年にも市場投入を目指している。韓国メディアは、パナソニックが米Tesla（テスラ）向けの生産に集中するのを横目に、LGエナジーソリューションが日本市場をうまく狙って成果をあげたと分析する。

　LGエナジーソリューションは、日本市場を着々と攻略している。2022年1月にはホンダと合弁で最大40GWh規模の新たな北米バッテリー工場を新設すると報じられた。日産自動車のEV「アリア」にパウチ型バッテリーを供給するという報道もあった。

　LGエナジーソリューションはEVスタートアップにも供給先を広げている。2022年7月11日には、同社がインドの自動車大手Mahindra & Mahindra（マヒンドラ・アンド・マヒンドラ、以下マヒンドラ）の小型EV「XUV400」にバッテリーを供給すると報じられた。

　LGエナジーソリューションの親会社である韓国LG Chem（LG化学）は2018年2月にマヒンドラとの協業を発表している。NCM（ニッケル・コバルト・マンガン）バッテリーによる高密度エネルギーのバッテリー開発とリチウムイオンバッテリーモジュールの開発という内容だ。今回のバッテリー供給報道はその成果だろう。

　マヒンドラはEVのラインアップ強化のため91億米ドル（約1兆2500億円）の資金を調達する。同社はEV向けバッテリーの内製化は考えていないと公表しており、LGエナジーソリューションの供給規模は拡大する可能性が高い。人口14億人のインド市場開拓の足がかりができたことは、LGエナジーソリューションにとって大きい。

　LGエナジーソリューションは生産設備も積極的に拡大する。

　2022年6月13日にLGエナジーソリューションは、韓国・梧倉（オチャン）1工場に4GWh規模の円筒型バッテリー生産ラインを増設すると発表した。同工場において9GWh規模の新たなフォームファクター（形状）を採用した円筒型バッテリー生産ラインも新設する。7300億ウォン（約770億円）を投資し、2023年下半期から量産を開始する計画だ。

　2022年3月に同社は、米アリゾナ州に1兆7000億ウォン（約1780億円）を投資し、11GWh規模の円筒型バッテリー工場を新設することも発表している。主力とする円筒型バッテリーを採用する自動車メーカーが増えており、今がチャンスとばかりに生産設備を広げている。

韓国Samsung Electronics（サムスン電子）は2022年6月30日（現地時間）、次世代トランジスタである「GAA（Gate-All-Around）」技術による3nm（ナノメートル）世代プロセスの先端半導体量産を開始したと発表した。3nm世代プロセスの半導体量産は、半導体ファウンドリー世界トップの台湾TSMC（台湾積体電路製造）に先行し、世界初だ。

　3nm世代プロセスの半導体の最初の顧客は、ビットコイン採掘用のASICを設計するファブレスメーカーである中国・上海磐矽半導体（PanSemi）と報道されている。ビットコインの採掘には、演算処理が速く、エネルギー効率の高いハードウエアが必要だ。そのため採掘業者は、それぞれ採掘に適したASICを委託生産している。GAA技術は、既存のFinFET技術による半導体と比べて消費電力を抑えられ、性能向上できる。そのため3nm世代プロセスは、まずはビットコイン採掘用ASICに適しているというわけだ。

　サムスン電子は2020年7月に開催した展示会で、初めて3nm世代プロセスのウエハーを一般公開した。2022年5月にバイデン米大統領が同社の韓国・平沢（ピョンテク）半導体工場を訪問した際にも、3nm世代プロセス半導体の試作品を披露したという。また同社はかねてから「2022年4〜6月の間に世界初の3nm世代プロセスの半導体量産を開始する」と宣言していた。その言葉どおり、滑り込みで量産開始し、有言実行となった。

　今回のサムスン電子の3nmプロセス世代半導体の量産開始について韓国内では、TSMCを追撃するチャンスをつくったとして高く評価されている。TSMCは2022年末に3nm世代プロセスの半導体量産を始める予定だ。だがこれは次世代のGAAベースではなく、既存のFinFET技術ベースである。GAA技術についてTSMCは、2025年の量産を予定する2nm世代プロセスから導入するという。

　台湾の調査会社TrendForce（トレンドフォース）によると、2022年1～3月期の世界ファウンドリー市場のシェアはTSMCが53.6％で1位であり、サムスン電子は16.3％で2位につけた。韓国内では、3nm世代プロセス半導体を皮切りに、サムスン電子とTSMCのシェアの差が縮まると期待する。サムスン電子は2021年に約100社だったファウンドリーの顧客を、2026年に300社以上へと増やす目標も掲げている。

電力消費を45％削減、性能を23％向上

　サムスン電子が3nm世代プロセスで導入したGAAは、半導体を構成するトランジスタにおいて電流が流れるチャネル4面をゲート（Gate）で囲む技術である。チャネル3面を囲むこれまでのFinFET技術と比べて、チップ面積を削減でき、消費電力も抑えられるという。

　同社によると、今回量産を開始したGAAベースの3nm世代プロセス半導体は、同社のFinFETベースの5nm世代プロセス半導体と比べて、電力消費を45％削減し、性能を23％向上、チップ面積を16％縮小したという。2023年に予定している第2世代のGAAにおいては、電力消費を50％削減、性能を30％向上、チップ面積は35％まで縮小できるとする。

　GAAは、半導体チップのサイズがどんどん小さくなり、既存のFinFETベースでは電力制御に限界が出てきたことで考案された技術だ。サムスン電子は、今回のGAAベースの3nm世代プロセスにおいて、チャネルを薄く広いナノシート（Nanosheet）型にした独自技術「MBCFET（Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor）」を採用したという。この技術は、ナノシートの幅を調整しながらチャネルの大きさを変更できる。これによって電流をより細密に調節できることから、高性能かつ低消費電力の半導体設計に適している。

　サムスン電子は、TSMCを猛追するかのようにファウンドリー設備にも投資する。2022年下半期には平沢半導体工場の第3ラインが稼働する。米国テキサス州テイラー市にも、2024年下半期稼働を目標に170億ドル（約2兆360億円）を投資し、新たなファウンドリーを建設する。

　さらに同社は2022年6月、韓国・器興（ギフン）半導体工場内に新しい半導体研究開発センターを建設した。半導体研究所の新設は2014年に韓国・華城（ファソン）工場デバイスソリューションリサーチを設置して以来、8年ぶりとなる。研究員と設備が増えたことで研究スペースが足りなくなり、遊休敷地に研究所を建てることになったという。2021年に末立ち上げた次世代プロセス開発チームを中心に採用を増やし、3D（3次元）メモリーや6憶画素イメージセンサーなどの研究も進めるようだ。

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詳細についてはこちらから

日　　時：2022年7月20日（水）10：30～12：00

場　　所：リーガロイヤルホテル広島　4F「ロイヤルホールⅢ」

主　　催：駐広島大韓民国総領事館

参加締切：7月8日（金）

参 加 費：無料