サムスン電子の報道発表資料によれば、潜在力のある若手リーダーを昇進させたことや、成果主義という原則に沿って年齢や入社年度に関係なく成果と力量を保有した人材を登用したこと、外国人や女性の昇進を拡大したことが主な特徴だという。さらに、半導体部門は世界で初めて100層超えを達成した3次元積層NAND(3D NAND)フラッシュメモリーである第6世代「V-NAND」にCOP(Cell on Peri)技術を適用して量産できるようにしたことや、MRAM研究、DRAM競争力強化などの実績を評価した人事とも説明した。
華城工場の研究所が開発している3nmプロセスは、5nmプロセスよりも半導体チップの面積が35%以上減り、消費電力は半分に、処理速度は30%ほど早くなるという。サムスン電子は、2020年に5nmプロセス半導体の量産、2022年に3nmプロセス半導体の量産を目標としている。同社は3nmプロセスにおいてゲート全周型トランジスタ構造を採用する計画であり、「3nm Gate-All-Around Early(3GAAE)」と呼ぶ工程の設計キット(PDK v0.1, Process Design Kit)を、2019年5月14日に米国サンタクララで開催した「Samsung Foundry Forum 2019」で配布済みである。ファウンドリー世界1位の台湾積体電路製造(TSMC)も当初2023年だった計画を前倒しして2022年に3nmプロセス半導体を量産すると表明しているだけに、どちらが先に量産に成功するかも注目されている。
新型コロナウイルス肺炎は、グローバル規模の展示会にも大きな影響を与えた。2月4日、LG電子(LG Electronics)は社員と顧客の健康のために、モバイル通信関連のイベント「MWC Barcelona 2020」(スペイン・バルセロナ)への出展を取り消すと発表した。一方、サムスン電子(Samsung Electronics)は出展の意向を示していたが、その後2月13日にイベント主催者であるGSMアソシエーション(GSMA)が開催中止を決定した.