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人工知能（AI）向け半導体の重要部品である広帯域幅メモリー「HBM（High Bandwidth Memory）」に対して、米国政府が中国に対する半導体規制を適用するようだ。米Bloomberg（ブルームバーグ通信）は2024年6月11日（現地時間）、米国政府はAIに使われる半導体技術の中で特に新しいトランジスタ構造であるGAA（Gate All Around）とHBM関連技術が中国に渡らないよう一段と制限することを検討していると報じた注1）。
注1）GAA構造のトランジスタは3nm以下の超微細工程に導入される技術である。電流が流れる4面のチャネルをゲートが完全に囲む構造にすることで、電流の流れをより細かく制御できるようになり、電力効率を高められる。HBMはDRAMのダイを垂直に積み上げ、全体のデータ転送速度を高速・広帯域化するメモリー技術である。AIアプリケーションのために必要な大量のデータ処理において、省スペース化と低消費電力化を実現する。
米国の追加規制は中国のAIモデル開発を制限するためとみられている。中国が最先端のAI半導体を製造するためには3nm以下の工程が必要である。米国政府は2025年から、米NVIDIA（エヌビディア）、米Intel（インテル）、台湾積体電路製造（TSMC）、韓国Samsung Electronics（サムスン電子）が提携して、米国でGAA技術を用いた半導体の生産を増やすようにするという。
台湾の調査会社であるTrendForce（トレンドフォース）によると、2023年末時点でHBMのサプライヤー別世界市場シェアは韓国SK hynix（SKハイニックス）が53％で1位となった。同社はエヌビディアのGPU向けにHBMを独占的に納品している。今後、エヌビディアの次世代GPUと米Advanced Micro Devices（アドバンスト・マイクロ・デバイセズ、AMD）・インテルのAIアクセラレーターの発売を控え、HBMの需要は大幅に伸びる見込みである。SKハイニックスとサムスン電子はHBM生産ラインの稼働率を引き上げようとしている。SKハイニックスの独走が続くのか、サムスン電子が追い付くか、両社のHBM戦略が注目されている。
第5世代に当たるHBM3E
（出所：Samsung Electronics）
サムスン電子危機説を唱える韓国メディア
英Reuters（ロイター通信）は2024年5月24日（現地時間）、サムスン電子のHBMが発熱と電力に関する問題でエヌビディアの品質検証テストをパスできなかったと報じた。これによりサムスン電子の株価は前日より約3％値下がりした。ところが同年6月5日、株価が反転した。6月4日、エヌビディアの創業者でCEO（最高経営責任者）のJensen Huang（ジェンスン・ファン）氏が台北市内で記者懇談会を開催し、サムスン電子がテストをパスできなかったという話は事実ではなく噂にすぎず、サムスン電子のテストはまだ終わっていないと発言したからである。同氏は「サムスン電子もエヌビディアのHBMパートナーなのか」という質問に対して、「サムスン電子、SKハイニックス、米Micron Technology（マイクロン・テクノロジー）の3社全てがHBMを提供することになるだろう」と回答した。
韓国のメディアは連日、サムスン電子危機説を唱えた。「サムスン電子がエヌビディアの一言で株価が揺れるほど半導体市場で主導権を失った」、「AI半導体製造に必要なHBMでサムスン電子はSKハイニックスに先を越され、長年守ってきたメモリー半導体世界1位の座も危なくなった」、「2030年に世界半導体1位を目標にしているが、ファウンドリーは台湾TSMCとの格差が広がり続けている。香港の調査会社Counterpoint Technology Market Research（カウンターポイント・テクノロジー・マーケット・リサーチ）によると、2024年1～3月の売り上げベースのファウンドリーシェアはTSMCの62％に対してサムスン電子は13％にとどまり、サムスン電子のシェアは半導体世界1位になると宣言した2019年以降減少している」といった具合だ。
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趙 章恩＝(ITジャーナリスト)
(NIKKEI TECH)
2024. 6.
-Original column
